檢索結果:共3筆資料 檢索策略: "GaN".ekeyword (精準) and year="104"
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氮化鎵高電子遷移率電晶體在近幾年中逐漸發展成熟,除了穩定性提高外,更有適用於不同需求的規格可供選擇,在許多方面都比現有的矽功率開關還要有更佳的特性,得以使電路操作在更高的頻率上。 因此本文將氮化鎵電…
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本研究成功的以RF反應式濺鍍法來製備p型Zn摻雜GaN以及Zn摻雜InGaN薄膜。實驗所需要的濺鍍靶材是將不同比例的金屬In、Ga、Zn與GaN陶瓷粉末進行混合後熱壓而成的陶金靶,製備出p型Zn摻雜…
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本論文以RF反應性濺鍍法製備n型Sn摻雜GaN及InGaN薄膜,並將摻雜不同成分之Sn-x GaN薄膜與p-type Silicon基板堆疊製作成p-n二極體,進而觀察其電特性。於本實驗中我們利用E…